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IPD65R380C6BTMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPD65R380C6BTMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，可在较高电压与电流条件下实现较低的导通损耗。栅源电压范围

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MPN
IPD65R380C6BTMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPD65R380C6BTMA1-HXY
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