PUBLIC PAGE SUMMARY

IPD65R250E6XTMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPD65R250E6XTMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的栅极

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
IPD65R250E6XTMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPD65R250E6XTMA1-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed