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IPD60R400CEAUMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPD60R400CEAUMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V

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MPN: IPD60R400CEAUMA1-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IPD60R400CEAUMA1-HXY

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