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IPAW60R280CE-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPAW60R280CE-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可显著降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保栅极驱动的可靠性与灵活性。依

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MPN
IPAW60R280CE-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPAW60R280CE-HXY
公开内容边界

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