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IPA65R190CFDXKSA2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPA65R190CFDXKSA2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，

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MPN
IPA65R190CFDXKSA2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPA65R190CFDXKSA2-HXY
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