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IPA65R190C7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPA65R190C7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适合在高

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MPN
IPA65R190C7XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPA65R190C7XKSA1-HXY
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