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IPA65R110CFD-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPA65R110CFD-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定栅极控制，增强

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MPN
IPA65R110CFD-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPA65R110CFD-HXY
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