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IPA65R095C7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPA65R095C7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅