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IMZA65R048M1H-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMZA65R048M1H-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:49A，具有650V的漏源击穿电压VDSS，适用于需要高耐压保护的应用场景。其导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于减少功率损耗，提高能效。栅

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MPN
IMZA65R048M1H-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMZA65R048M1H-HXY
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