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IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMZ120R030M1HXKSA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产

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MPN: IMZ120R030M1HXKSA1
品牌/制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-247-4
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IMZ120R030M1HXKSA1

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