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IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMYH200R075M1HXKSA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，-封装，询盘确认库存，特性：在Tvj = 25℃时，VDSS = 2000V。 在Tc = 25℃时，IDCC = 34A。 在VGS = 18V、Tvj = 25℃时，RDSS(on) = 75mΩ。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值