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IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMYH200R050M1HXKSA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，-封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低