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IMW65R033M2HXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMW65R033M2HXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借低导通电阻和高耐压能力，

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MPN
IMW65R033M2HXKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMW65R033M2HXKSA1-HXY
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