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IMW120R040M1HXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMW120R040M1HXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道增强型器件，连续漏极电流可达87.5A，漏源击穿电压为1200V，具备高电压和大电流承载能力，适用于高性能功率转换场景。导通电阻为39mΩ，有助于

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MPN
IMW120R040M1HXKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMW120R040M1HXKSA1-HXY
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