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IMW120R030M1H Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMW120R030M1H，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器