PUBLIC PAGE SUMMARY
IMW120R007M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价
IMW120R007M1HXKSA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDCC = 225 A at TVj = 25°C。 RDSS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°
- MPN
- IMW120R007M1HXKSA1
- 品牌/制造商
- Infineon(英飞凌)
- 封装
- TO-247-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IMW120R007M1HXKSA1