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IMBG65R083M1HXTMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMBG65R083M1HXTMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高电

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MPN
IMBG65R083M1HXTMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMBG65R083M1HXTMA1-HXY
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