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IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG65R057M1HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。