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IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG120R181M2HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V（TVj = 25℃时）。 IDDC = 10.5 A（Tc = 100℃时）。 RDS(on) = 181.4 mΩ（VGS = 18 V，TVj = 25℃时）。