PUBLIC PAGE SUMMARY

IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG120R116M2HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 15 A，TC = 100℃。 RDSS(on) = 115.7 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
IMBG120R116M2HXTMA1
品牌/制造商
Infineon(英飞凌)
封装
TO-263-7
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMBG120R116M2HXTMA1
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed