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IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG120R053M2HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V，温度为25℃。 IDDC = 29 A，温度为100℃。 RDS(on) = 52.6 mΩ，VGS = 18 V，温度为25℃。极低的开关损耗。过载运行可达2

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MPN: IMBG120R053M2HXTMA1
品牌/制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-263-7
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IMBG120R053M2HXTMA1

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