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IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG120R045M1HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7-12封装，询盘确认库存，特性：非常低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。