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IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

IMBG120R030M1HXTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7-12封装，询盘确认库存，特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的坚固体二极管。应

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MPN: IMBG120R030M1HXTMA1
品牌/制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-263-7-12
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IMBG120R030M1HXTMA1

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