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IKY75N120CH3XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IKY75N120CH3XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247P-4L封装，询盘确认库存，本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能

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MPN
IKY75N120CH3XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247P-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IKY75N120CH3XKSA1-HXY
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