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IKW50N65H5-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IKW50N65H5-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电

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MPN
IKW50N65H5-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IKW50N65H5-HXY
公开内容边界

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