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IKW40N120H3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IKW40N120H3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正

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MPN
IKW40N120H3-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IKW40N120H3-HXY
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