PUBLIC PAGE SUMMARY

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247P封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247P
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed