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IGW75N65H5XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IGW75N65H5XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力变换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流

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MPN
IGW75N65H5XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IGW75N65H5XKSA1-HXY
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