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IDH10G65C5XKSA2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IDH10G65C5XKSA2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.38V，导通损耗较低，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的

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MPN: IDH10G65C5XKSA2-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IDH10G65C5XKSA2-HXY

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