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IDH06G65C5XKSA2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IDH06G65C5XKSA2-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 碳化硅二极管,TO-220C-2L封装,询盘确认库存,该碳化硅二极管为独立式器件,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降(VF)为1.36V,相较于传统硅器件具有更低的导通损耗,有助于提升能效。基于碳化硅

MPN
IDH06G65C5XKSA2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IDH06G65C5XKSA2-HXY
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