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HYG090P03LA1C1 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG090P03LA1C1，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：30V / -40A，Rds(on)= 7.9 mΩ（典型值）@VGS = -10V。 Rds(on)= 10.5 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤环保器件（符合R

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MPN: HYG090P03LA1C1
品牌/制造商: HUAYI(华羿微)
封装: DFN-8
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HYG090P03LA1C1

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