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HYG024N03LR1B HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG024N03LR1B，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-263-2L封装，询盘确认库存，特性：30V/160A，RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 2.7mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无铅和环保器件（符合RoHS

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MPN: HYG024N03LR1B
品牌/制造商: HUAYI(华羿微)
封装: TO-263-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HYG024N03LR1B

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