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HYG023N04NR1D HUAYI(华羿微) 现货与清单询价
HYG023N04NR1D，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，特性：45V/140A，R_D(ON)=2.3mΩ（典型值），V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关。 电池保护
- MPN
- HYG023N04NR1D
- 品牌/制造商
- HUAYI(华羿微)
- 封装
- TO-252-2L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HYG023N04NR1D