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HYG023N04NR1B HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG023N04NR1B，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-263-2L封装，询盘确认库存，特性：45V/200A。 RDS(ON) = 2.2mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 100% DVDS。 可靠耐用。 有符合RoHS的无卤环保器件。应用：开关应用。 锂电池保护

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MPN
HYG023N04NR1B
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
TO-263-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYG023N04NR1B
公开内容边界

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