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HYG023N04LQ1P HUAYI(华羿微) 现货与清单询价
HYG023N04LQ1P,HUAYI(华羿微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220FB封装,询盘确认库存,特性:40V/170A。 RDS(ON)=2.3 mΩ(典型值)@VGS=10V。 RDS(ON)=3.0 mΩ(典型值)@VGS=4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)。应用
- MPN
- HYG023N04LQ1P
- 品牌/制造商
- HUAYI(华羿微)
- 封装
- TO-220FB
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HYG023N04LQ1P
