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HYD2G16L3AE-B9A HeYangTek(扬贺扬) 现货与清单询价

HYD2G16L3AE-B9A，HeYangTek(扬贺扬)，存储器 / DDR内存，FBGA-96封装，询盘确认库存，2Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片组织形式为 16Mbit × 16 输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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MPN
HYD2G16L3AE-B9A
品牌/制造商
HeYangTek(扬贺扬)
封装
FBGA-96
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYD2G16L3AE-B9A
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