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HUS1ME361T HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HUS1ME361T，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，SMA封装，询盘确认库存，此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µ

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MPN
HUS1ME361T
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HUS1ME361T
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