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HUS1GE35AT HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HUS1GE35AT，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，SMA封装，询盘确认库存，此款快恢复二极管具备高效率特点，额定最大平均正向电流（IF）为1A，可承受的最高反向电压（VR）为400V。当处于正向导通状态时，其电压降（VF）为1.3V，有助于保持较高的转换效率。反向漏电流（IR）维持在较低水平，仅为5μA，同时支持瞬态

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MPN
HUS1GE35AT
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HUS1GE35AT
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