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HUJ3C120070K3S HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HUJ3C120070K3S，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的最大工作电流ID/A，适用于需要较大电流的应用。其承受的漏源电压VDSS/V高达1200V，适用于高压环境。导通电阻RDSON/mΩ为75毫欧，有

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MPN
HUJ3C120070K3S
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HUJ3C120070K3S
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