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HUF3C120150K4S HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HUF3C120150K4S，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为19A，在保证安全工作的前提下，可以承受的最大漏源电压（VDSS/V）为1200V。该器件的导通电阻（RDSON/mΩ）

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MPN: HUF3C120150K4S
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HUF3C120150K4S

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