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HTW083Z65C HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HTW083Z65C，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，此款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，拥有29安培的连续漏极电流（ID）和650伏特的漏源击穿电压（VDSS），适合于高压环境下的应用。其导通电阻（RDON）低至60毫欧，有助于减少功率损耗，提