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HTW048Z65C HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HTW048Z65C，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的连续漏极电流(ID)能力和650V的漏源电压(VDSS)，适用于需要高电压处理能力的应用。其导通电阻为33mΩ(RDON)，有助于降低系统功耗并提高能效。