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HTW048N65C HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HTW048N65C，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续漏极电流（ID）处理能力，在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，这表明在导通状态下，该器件能有效降低电力

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MPN
HTW048N65C
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HTW048N65C
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