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HTRS8E65FS1Q HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HTRS8E65FS1Q，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220H-2L封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管设计有8安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在反向应用时，其漏电流（IR/uA）限制在50微安。瞬态峰值电流（IFSM/A）可以达到64安培