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HT10P3H1S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HT10P3H1S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-223封装，询盘确认库存，特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用

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MPN: HT10P3H1S
品牌/制造商: R+O(宏嘉诚)
封装: SOT-223
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HT10P3H1S

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