现货库存 / 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) / HT10N2H8S

SOT-223

HT10N2H8S R+O(宏嘉诚) 现货与询价

HT10N2H8S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-223封装，询盘确认库存，特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 硬开关和

型号
HT10N2H8S
品牌
R+O(宏嘉诚)
制造商
R+O(宏嘉诚)
分类
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装
SOT-223
批号
-
库存状态
询盘确认
报价方式
询盘报价
HT10N2H8S SOT-223 产品封装示意图

图片按封装类型匹配，仅供识别包装形态，实物与批号请以询价确认结果为准。

BUYER SIGNALS

采购信号
转 BOM
库存询盘确认 封装SOT-223 资料官方资料可核对 建议提交需求核库存
同封装 加入 BOM 官方 PDF 继续搜索

RFQ READINESS

核价准备度 60%

建议补充关键信息
1库存提交后确认库存
2封装SOT-223
3品牌R+O(宏嘉诚)
4批号询价时核对
5资料可打开官方 PDF
还需重点确认：库存、批号。 带入 BOM 核价
人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

RFQ NOTE

HT10N2H8S 单型号询价备注

从搜索引擎或 AI 问答进入详情页后，可以直接复制这段交给业务，减少型号、封装、PDF和报价边界反复确认。

带入 BOM 
单型号询价备注：HT10N2H8S
品牌/制造商：R+O(宏嘉诚) / R+O(宏嘉诚)
封装：SOT-223
类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
库存状态：询盘确认库存，需业务核对渠道库存、批号和交期
商品页：https://hxgsc.com/products/HT10N2H8S
BOM入口：https://hxgsc.com/bom?mpn=HT10N2H8S&sourceUrl=%2Fproducts%2FHT10N2H8S&sourceTitle=HT10N2H8S+%E5%95%86%E5%93%81%E8%AF%A6%E6%83%85
资料入口：https://www.google.com/search?q=HT10N2H8S%20R%2BO(%E5%AE%8F%E5%98%89%E8%AF%9A)%20datasheet%20filetype%3Apdf%20manufacturer
替代候选：https://hxgsc.com/alternatives/HT10N2H8S

请协助确认：需求数量、可接受替代范围、批号、包装方式、交期、检测资料、含税报价和付款交付条件。
备注：页面公开库存、封装图、资料链接和价格仅用于采购初筛，最终以业务确认报价为准；同封装或相似型号不代表自动等效。

QUICK SOURCING

先把 HT10N2H8S 放入采购台

适合从搜索引擎进入后先保留型号，再继续找同封装、同品牌或统一转 BOM。

询盘库存 SOT-223主封装 R+O(宏嘉诚)品牌
加入 BOM 同封装现货 封装专题

PROCUREMENT FLOW

把这个型号推进到采购清单

适合先暂存再批量核价
01型号识别HT10N2H8S
02库存/封装询盘确认 · SOT-223
03批量处理暂存、对比或转入 BOM
04询价确认批号、包装、交期和检测资料
加入对比 加入 BOM 核对 PDF

BUYER CHECK

采购确认清单

带入 BOM
库存

当前为可询库存，提交需求后确认数量、批号和交期。

资料

采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。

封装

SOT-223 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。

同品牌型号同封装现货替代料候选封装专题品牌专题制造商页提交询价

NEXT STEP

继续找料与替代

复制/搜索型号
同封装SOT-223 同品牌R+O(宏嘉诚) 同类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装页SOT-223 品牌页R+O(宏嘉诚) 制造商R+O(宏嘉诚) 替代料候选与边界 BOM带入当前型号
推荐组合 当前型号 + 4 个同类候选，适合一起核价、对比和确认替代范围。
组合转 BOM 组合对比
NCE6005ARNCE(无锡新洁能) · SOT-223 27,500 件 询价
PJW3P10A_R2_00001PANJIT(强茂) · SOT-223 询盘确认 询价
PJW4N06A-AU_R2_000A1PANJIT(强茂) · SOT-223 询盘确认 询价
HT04N200SR+O(宏嘉诚) · SOT-223 询盘确认 询价

从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。

进入询价查替代料打开制造商官方PDF提交 BOM 配单

ENGINEERING DATA

HT10N2H8S 工程资料与采购核对

从搜索结果进入详情页后，先按资料、封装、制造商、替代候选四个维度完成初筛，再提交 BOM 确认数量、批号、包装、交期和报价。

HT10N2H8S SOT-223 封装图
01

制造商 PDF

优先打开官方资料，核对封装、引脚、电气参数、温度等级和订购后缀。

打开资料
02

封装图与同封装

SOT-223 用于包装形态初筛；同封装仍需继续核对尺寸、引脚和参数。

查看封装
03

制造商与品牌

R+O(宏嘉诚) 用于区分库存品牌和官方资料来源，避免品牌/制造商混淆。

制造商页
04

替代与对比

缺货或弱匹配时，先看同类候选，再把原型号和候选转入 BOM 复核替代边界。

替代候选
带入 BOM 询价 单型号对比 同类目现货 资料页

资料、封装图、同封装和替代候选只用于工程与采购初筛，正式采购仍需业务确认最终库存、批号、包装、检测资料、含税报价和交付条件。

EVIDENCE CHAIN

商品证据链与引用边界

把详情页中的型号、品牌、封装、PDF、库存和替代动作拆开说明，方便采购员、搜索引擎和 AI 摘要正确引用。

库存报价边界
证据来源当前证据可用于边界
页面型号字段HT10N2H8S确认完整 MPN、搜索、对比和 BOM 录入。不要省略后缀；相似前缀或系列不代表同一型号。
品牌/制造商R+O(宏嘉诚)区分库存品牌、官方制造商和资料库识别结果。品牌显示不等于授权关系或最终供货来源承诺。
封装识别SOT-223筛同封装、替代候选和封装专题。同封装不代表引脚、尺寸、参数或认证自动等效。
制造商资料有制造商 PDF/资料入口核对引脚、封装图、参数、订购后缀和典型应用。PDF 预览失败时应打开官方链接，资料版本仍需采购前确认。
库存与报价询盘确认采购初筛和是否转入 BOM。最终数量、批号、包装、交期、检测资料和含税报价以业务确认。
替代与BOM动作/alternatives/HT10N2H8S / /bom?mpn=HT10N2H8S&sourceUrl=%2Fproducts%2FHT10N2H8S&sourceTitle=HT10N2H8S+%E5%95%86%E5%93%81%E8%AF%A6%E6%83%85缺料、替代、批量询价和人工复核。替代候选需要工程与业务共同确认，不可直接视为等效。
打开制造商官方 PDF 查看替代候选 提交 BOM 复核 品牌/制造商怎么判断

商品参数

数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V

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PANJIT(强茂) 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A

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HT04N200S

R+O(宏嘉诚) 特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

库存 询盘确认SOT-223

SL10N10A

Slkor(萨科微) 类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC=\n25?C VGS=4.68V 120

库存 询盘确认SOT-223

1N60G

UMW(友台半导体) G表示SOT-223封装

库存 询盘确认SOT-223

AGM60P20R

AGMSEMI(芯控源) AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

库存 询盘确认SOT-223

HT06P460S

R+O(宏嘉诚) 特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

库存 询盘确认SOT-223

HT06N780S

R+O(宏嘉诚) 特性：VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

库存 询盘确认SOT-223

HSL6107

HUASHUO(华朔) 是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EAS保证。有绿色环保器件可供选择。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术

库存 询盘确认SOT-223

HT02P260S

R+O(宏嘉诚) 特性：VDS = -20V。 I0 = -10A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 20mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

库存 询盘确认SOT-223

HSL3002

HUASHUO(华朔) HSL3002是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSL3002符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

库存 询盘确认

PROCUREMENT FAQ

采购常见问题

HT10N2H8S 是否有现货？

HT10N2H8S 当前需要询盘确认库存，提交需求后可核对可供数量、批号、包装和交期。

如何核对 HT10N2H8S 的官方资料？

页面提供 HT10N2H8S 的制造商资料入口，采购前建议核对封装、关键电气参数、温度等级和订购料号。

找不到完全一致的 HT10N2H8S 时怎么办？

可以按 R+O(宏嘉诚)、SOT-223 和同类目继续筛选相似型号，也可以在 BOM 备注中写明替代要求。