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HT06P1H7S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价
HT06P1H7S,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOT-223封装,询盘确认库存,特性:VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:电池
- MPN
- HT06P1H7S
- 品牌/制造商
- R+O(宏嘉诚)
- 封装
- SOT-223
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HT06P1H7S
