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HSU30N20 HUASHUO(华朔) 现货与清单询价

HSU30N20，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V）低栅极电荷，可将开关损耗降至最低快速恢复体二极管

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