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HSH200N02 HUASHUO(华朔) 现货与清单询价

HSH200N02，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，HSH200N02是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH200N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS）

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MPN
HSH200N02
品牌/制造商
HUASHUO(华朔)
封装
TO-263
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSH200N02
公开内容边界

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