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HSCTWA35N65G2V HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCTWA35N65G2V，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至+20V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色